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        • EpiPro 5000 外延生长炉
        CSD Epitaxy公司设计的EpiPro 5000双腔式外延沉积反应炉以更紧凑的设备结构,满足了本行业处理更大晶圆的需求,同时降低了外延加工工艺的成本。EpiPro 5000 的设计提高了批处理能力,降低了薄、中、厚膜外延工艺的滑移线。
        更大的批量,更高的晶圆产量,紧凑的占地面积/正面布局(无需侧面存。,减少了耗材的使用,提高了系统生产能力,减低了使用成本。

        工艺灵活性高
        • 硅片直径从100毫米到200毫米
        • 宽外延膜厚从< 5μm 到>100μm
        • 外延层电阻率从0.02Ωcm 到50Ωcm
        • 高产量的双腔系统
        • 低使用成本
        • 可靠的掺杂进气系统使掺杂转变更清晰
        • 晶圆*直径:35 x 100mm, 24 x125mm, 18 x 150mm, 8 x 200mm

         
        EpiPro 5000采用了数个外延系统的创新设计,改善了过程控制,降低了滑移线。其中包括可变的基座高度;一个中频电源;一个碗状的基座,利于温度均匀性,以及一个石英封装线圈和现场测温装置,以提供改进的温度和工艺重复性。多大3个掺杂进气口设计,可获得更好的面内掺杂分布。

        提高洁净度
        Epipro 5000包含了许多对颗粒物控制的改进。不锈钢的桌面罩、侧壁,兜罩和门,确保干净清洁;褂衅渌恍┯兄诮嗑欢雀慕,包括一个微步旋转组件,双速钟罩升降组件和冷却空气管道环绕钟罩设计.


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