EpiPro 5000 外延生长炉 - THERMCO扩散,退火,LPCVD工艺炉 - 创世杰科技发展有限公司

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EpiPro 5000 外延生长炉

CSD Epitaxy公司设计的EpiPro 5000双腔式外延沉积反应炉以更紧凑的设备结构，满足了本行业处理更大晶圆的需求，同时降低了外延加工工艺的成本。EpiPro 5000 的设计提高了批处理能力，降低了薄、中、厚膜外延工艺的滑移线。

更大的批量，更高的晶圆产量，紧凑的占地面积/正面布局（无需侧面存�。�，减少了耗材的使用，提高了系统生产能力，减低了使用成本。

工艺灵活性高

• 硅片直径从100毫米到200毫米

• 宽外延膜厚从< 5μm 到>100μm

• 外延层电阻率从0.02Ωcm 到50Ωcm

• 高产量的双腔系统

• 低使用成本

• 可靠的掺杂进气系统使掺杂转变更清晰

• 晶圆*直径：35 x 100mm, 24 x125mm, 18 x 150mm, 8 x 200mm

EpiPro 5000采用了数个外延系统的创新设计，改善了过程控制，降低了滑移线。其中包括可变的基座高度；一个中频电源；一个碗状的基座，利于温度均匀性，以及一个石英封装线圈和现场测温装置，以提供改进的温度和工艺重复性。多大3个掺杂进气口设计，可获得更好的面内掺杂分布。

提高洁净度

Epipro 5000包含了许多对颗粒物控制的改进。不锈钢的桌面罩、侧壁，兜罩和门，确保干净清洁�；褂衅渌恍┯兄诮嗑欢雀慕�，包括一个微步旋转组件，双速钟罩升降组件和冷却空气管道环绕钟罩设计.

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